器件物理核心

[[PN结]]

​​2. 金属-半导体接触​​

• ​​肖特基势垒​​：
  • 理想势垒高度 ΦB0​=Φm​−χs​
  • 电流机制：热电子发射 J∝e−eΦB​/kT
• ​​欧姆接触​​：高掺杂 → 隧穿效应主导

​​3. MOSFET基础​

[[MOSFET]]