晶体管元件设计

设计 [[04器件物理核心]]

半导体基础​​

​​1. 半导体材料​​

​​类型​​	​​特性​​	​​实例​​
本征半导体	纯晶体结构（Si/Ge），热激发产生电子-空穴对	硅晶体
P型半导体	掺入Ⅲ族元素（如硼），空穴为多子	硼掺杂硅
N型半导体	掺入Ⅴ族元素（如磷），电子为多子	磷掺杂硅

​​2. PN结特性​​

• ​​形成机制​​：扩散→耗尽区→内建电场（V0​≈0.7V）
• ​​偏置状态​​：
  • ​​正向偏置​​：Vext​<V0​ → 扩散电流主导（指数增长）
  • ​​反向偏置​​：Vext​>V0​ → 漂移电流极小（饱和电流IS​）

[[PN结]] 和 [[MOSFET]]