MOSFET

​​MOS电容工作模式​​：

|偏压类型|P型衬底响应|
|---|---|
|VG​<0|积累（空穴堆积）|
|VG​>0|耗尽 → 反型（VG​=VT​ 时反型层形成）|

• ​​阈值电压 VT​​​：
  VT​=Φms​+2∣ϕF​∣+Cox​4ϵs​eNA​∣ϕF​∣​​